320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格中波红外双色焦平面探测器

作者：白治中; 徐志成; 周易; 姚华城; 陈洪雷; 陈建新; 丁瑞军; 何力

来源：红外与毫米波学报, 2015, 34(6).

DOI：10.11972/j.issn.1001-9014.2015.06.015

• InAs/GaSb
• 超晶格
• 双色
• 焦平面

报道了320×256元InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外双色焦平面阵列探测器的初步结果.探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用顺序读出方式.运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超品格周期结构分别为7 ML InAs/7 ML GaSb和10 ML InAs/10 ML GaSb.焦平面阵列像元中心距为30μm.在77 K时测试,器件双色波段的50％响应截止波长分别为4.2 μm和5.5 μm,其中N-on-P器件平均峰值探测率达到6.0×10m cmHz1/2W-1,盲元率为8.6％;P-on-N器件平均峰值探测率达到2.3×109 cmHz1/2W-1,盲元率为9.8％.红外焦平面偏压调节成像测试得到较为清晰的双波段成像.

• 单位
  中国科学院