氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备PMN-PT薄膜的微观结构和电学性能(英文)

作者：何邕; 李效民; 高相东; 冷雪; 王炜

来源：无机材料学报, 2011, (11): 1227-1232.

• 脉冲激光沉积法
• PMN-PT薄膜
• 微观结构
• 电学性能 pulse laser deposition
• PMN-PT thin films
• microstructure
• electrical properties

采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积方法(PLD)在硅衬底上,制备出高度(001)取向的钙钛矿相结构钛铌镁酸铅(PMN-PT)薄膜.研究了氧等离子体辅助对PMN-PT薄膜相结构、微观形貌和电学性能的影响.结果表明,通过在薄膜沉积过程中引入高活性的氧等离子,可以有效地提高PMN-PT薄膜的结晶质量和微观结构.未采用氧等离子体辅助PLD方法制备PMN-PT薄膜的介电常数(10 kHz)和剩余极化(2Pr)分别为1484和18μC/cm2,通过采用氧等离子体辅助,其介电常数和剩余极化分别提高至3012和38μC/cm2.

• 单位
  中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院研究生院; 高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室