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摘要
本发明公开了基于Ti/Al/Ni/Cu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法。所述电极包括在GaN基HEMT的外延层上表面的两端刻蚀区域从下到上依次排列的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属Ni和第四金属层Cu。所述AlGaN/GaN外延包括从下往上依次层叠的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层。所述金属采用电子束蒸发方式沉积,所述电极的第三金属层Ni通过电子束蒸发倾斜沉积。所述电极的第三金属层Ni沉积在第二金属层Al的表面以及SiO-2支撑层的侧壁上。所述电极的第三金属层Ni从底面和侧面包裹住第四金属层Cu。本发明采用Cu代替金属Au作为帽层,同时与低温退火工艺相结合,有利于减少Cu的扩散。相对于传统欧姆接触电极金属体系,本发明的欧姆接触电极有助于提高电极的导电性。
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