2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片的设计

作者：饶忠君; 张志浩^*; 章国豪

来源：电子技术应用, 2021, 47(07): 17-47.

DOI：10.16157/j.issn.0258-7998.211497

• Ga As p HEMT
• 低噪声放大器
• 低噪声
• 双模式

基于Ga As p HEMT工艺设计了一款2.3～2.7 GHz双模式低噪声射频接收前端全集成芯片。该接收前端芯片包含一个单刀双掷(SPDT)收发开关及一个带旁路功能的低噪声放大器。一方面,采用带源级电感负反馈的共源共栅结构实现了放大器模式,将SPDT开关作为放大器输入匹配网络的一部分,一体化优化设计获得最少元件及较高Q值的输入匹配网络,进而实现低噪声、高增益和良好的输入回波损耗匹配;另一方面,采用多组开关联合实现了旁路功能用于衰减高输入功率的射频信号。测试结果表明,在2.3～2.7 GHz的宽频带范围内,实现的接收前端芯片在LNA模式下的噪声系数可达到1.53～1.64 d B的较低水平,且增益在18.1～19.2 d B之间,在2.5 GHz时输入1 d B压缩点为-1.5 d Bm;在旁路模式下,插入损耗在工作频段内维持在约6～7 d B的水平。

• 单位
  河源广工大协同创新研究院; 广东工业大学