科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
在集成电路芯片制造中,为增加产能和降低成本,大尺寸硅片应用越来越广；同时为了提高芯片性能与封装密度,发展三维封装技术要求对大尺寸硅片进行减薄加工。减薄过程中产生的残余应力导致硅片产生翘曲变形,将会增加硅片在传输和后续加工中的碎片率。硅片的翘曲变形是评价硅片加工质量的重要技术指标,也是分析硅片加工残余应力、优化减薄工艺的重要依据。但是,由于减薄硅片刚度较低,变形测量中极易受到外力的影响,特别是重力的影响,目前消除重力影响的硅片面形测量方法存在局限性；此外,由于磨削减薄硅片呈现大变形特征,现有根据变形计算残余应力的方法存在较大误差。因此,本文研究了消除重力影响的减薄硅片的翘曲变形测量方法,开发了硅...
- 单位
