一种多量子阱蓝光探测器及制备方法与应用

作者：王文樑; 李国强; 孔德麒; 杨昱辉

来源：2019-07-31, 中国, CN201910703159.2.

本发明公开了一种多量子阱蓝光探测器及制备方法与应用,所述探测器包括从下到上依次排布的衬底、缓冲层和GaN/InGaN多量子阱层,GaN/InGaN多量子阱层的上表面连接金属层电极,缓冲层为从下到上依次排布的AlN层、AlGaN层和GaN层,GaN/InGaN多量子阱层为在缓冲层上依次交替生长的GaN层和InGaN层,交替生长的周期为6～8,GaN层的厚度为12～15 nm,InGaN层的厚度为3～5nm。通过优化探测器件的芯片参数,提升了蓝光波段的量子效率；在探测芯片表面进行蓝光增敏微纳结构设计,有效降低表面对蓝光的反射损耗,增强蓝光谐振吸收,实现高灵敏度高带宽探测。

• 单位
  华南理工大学