中红外激光场下阈上电离能谱中的低能结构

作者：肖智磊; 全威^*; 许松坡; 柳晓军; 魏政荣^*; 陈京^*

来源：Acta Physica Sinica, 2022, 71(23): 142-150.

• 阈上电离
• 低能结构
• 载波包络相位

强激光诱导原子阈上电离中的低能结构(low-energy structure, LES)是当前强场领域的研究热点,其背后的动力学过程引起了广泛讨论.本文基于半经典模型、SCTS (semi-classical two-step)量子轨道模型和数值求解含时薛定谔方程(time-dependent Schr?dinger equation, TDSE)方法,研究了中红外激光场下Xe原子阈上电离中的LES随激光脉冲宽度的依赖.发现LES随脉冲宽度的减小向更低能量方向移动.分析表明:长脉宽条件下,能谱中的多峰结构(LESn)与电子前向散射的阶次n及电子初始横向动量密切相关,而极低能结构(very-low-energy structure, VLES)主要由更高阶次前向散射的电子轨道贡献;少周期脉冲条件下, LES峰值位置随载波包络相位(carrier-envelope phase, CEP)的移动可归因于激光场矢势和离子实库仑势的共同作用随CEP的变化,其中库仑势导致的电子聚束效应是LES峰形成的主要原因.

• 单位
  波谱与原子分子物理国家重点实验室; 中国科学院; 北京应用物理与计算数学研究所