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摘要
为了明确GIS内部过热缺陷的暂态过程及红外成像诊断方法,文中在试验室搭建了550 k V GIS母线触头过热缺陷模型,分别设置了不同的接触不良情况,在不同的电流下,得到了故障点温度及外壳的温度分布情况,并与接触良好情况的隔离开关及其分支母线气室进行了对比。同时,采用有限元方法,计算了试验室无法开展的其他试验工况。研究结果表明:只要外壳局部温度高于环境温度,通过红外成像仪就可以清晰地观测到;接触电阻、负荷电流和环境温度对故障点外壳的温升影响较大,盆式绝缘子类型对故障点外壳温升无影响;起初,接触电阻与其产生的局部高温是一个线性的交互过程,当温度接近导体熔点时,从导通到最终熔化经历的时间很短,这一瞬态过程不能通过带电检测发现。
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单位沈阳工程学院; 国网辽宁省电力有限公司
