摘要
本工作通过密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法研究了过渡金属元素(X=Cr, Mn, Co, Ni, Zn, Zr, Nb, Ta)掺杂立方相BaTiO3的电子结构和光学性质。结果表明:掺杂Cr、Mn、Nb、Ta原子后,禁带宽度消失,体系导带底部向低能方向移动,费米能级穿过导带,体现出n型半导体的特征;掺杂Co、Ni和Zn原子后,禁带宽度消失,体系价带顶部向高能方向移动,费米能级穿过价带,体现出p型半导体的特征。在光学性质上,入射光为零的情况下未掺杂BaTiO3的静态介电常数为6.464,掺杂低浓度的Cr、Mn、Co、Ni、Zn后,静态介电常数增大;掺杂低浓度的Zr、Nb、Ta后,静态介电常数减小。
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