40Mb单片抗辐射SRAM存储器芯片

作者：沈磊; 赵凯; 王海华

来源：电子技术, 2020, 49(02): 1-3.

• 集成电路设计
• SRAM存储器
• 单片芯片
• 单粒子效应
• FDSOI工艺

抗辐射大容量SRAM存储器是航天航空电子系统中的关键微电路产品。依托先进的22nm FDSOI CMOS工艺制造平台,设计了一款高性能单片40Mb抗辐射异步SRAM。单粒子地面模拟试验结果显示,该大容量SRAM具有优秀的抗单粒子翻转能力,是目前已知具备高抗单粒子性能中容量最大的单片SRAM存储器芯片。