基于图形化再生长的GaN凹槽阳极肖特基二极管制备方法

作者：张进成; 周弘; 张燕妮; 宁静; 郝跃

来源：2019-08-20, 中国, CN201910766691.9.

本发明公开了一种基于图形化再生长的GaN凹槽阳极肖特基二极管制备方法,主要解决现有方法制作的GaN肖特基二极管欧姆接触电阻较大的问题。其实现方案为：1)在清洗后的外延片上淀积SiN；2)在淀积有SiN的外延片上淀积SiO2；3)在淀积有SiO2的外延片上依次进行欧姆区通孔光刻和通孔刻蚀,并进行清洗；4)在清洗后的外延片上生长n+-GaN,并去除生长有n+-GaN的外延片上的剩余的SiO2层；5)在去除了SiO2的外延片上进行阴极光刻,并刻蚀掉阴极区域的SiN钝化层,进行阴极金属淀积,并热退火；6)在退火后的外延片上刻蚀出阳极凹槽并进行阳极制作。本发明欧姆接触电阻低,刻蚀工艺简单,可用于制作电力电子器件。

• 单位
  西安电子科技大学