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摘要
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，研究了二维氮化镓(2D-GaN)平面和翘曲结构中电中性Ga空位(VGa)和N空位(VN)的形成能、能带结构及电子态特性。采用杂化泛函方法，计算了含Ga空位的2D-GaN(2D-GaN-VGa)和含N空位的2D-GaN(2D-GaN-VN)缺陷体系的电子结构。结果表明，在2D-GaN平面结构中，VN缺陷形成能量低于VGa的能量，说明VN缺陷更容易形成。在2D-GaN翘曲结构中，VGa缺陷形成能量低于VN的能量，说明VGa缺陷更容易形成。在2D-GaN平面和翘曲两种体系结构中，VGa均为受主缺陷，VN均为施主缺陷。研究结果对系统地理解2D-GaN及其缺陷模型的性质有重要意义，为发展基于2D-GaN的大功率器件、深紫外光电器件和光通信等领域提供理论参考。
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