IC铜布线CMP过程中缓蚀剂应用的研究进展

作者：王玄石; 高宝红; 曲里京; 檀柏梅; 牛新环; 刘玉岭

来源：半导体技术, 2019, 44(11): 863-869.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2019.11.007

• 缓蚀剂
• 化学机械抛光(CMP)
• 苯并三氮唑(BTA)
• 结构性损伤
• 电偶腐蚀

化学机械抛光(CMP)是集成电路(IC)制造过程中的一种基本工艺。在铜CMP过程中,缓蚀剂在获得全局平面化和防止腐蚀方面起着关键作用。阐述了常用的缓蚀剂——苯并三氮唑(BTA)在抛光液中的应用,并指出BTA由于其本身的局限性已经难以适应IC发展的技术需求。对近年来国内外能够替代BTA的新型缓蚀剂进行了归纳总结。与BTA相比,新型缓蚀剂能够更好地解决结构性损伤、电偶腐蚀和残留污染物的危害等问题。最后,对缓蚀剂在铜布线CMP过程中的发展趋势进行了分析和展望。在碱性条件下,未来需要重点研究缓蚀剂的缓蚀效果、作用机理、复配协同效应以及去除等问题。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院