InP DHBT Ka波段四通道发射芯片

作者：潘晓枫; 刘尧; 张宇辰; 徐波; 程伟

来源：固体电子学研究与进展, 2020, 40(05): 395.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2020.05.016

<正>基于南京电子器件研究所开发的0.7μm InP DHBT工艺,研制了一款工作在Ka波段的四通道变频发射芯片。该款芯片集成四倍频、功分、放大、检波、温度传感及逻辑控制等功能。在输入功率-18 dBm条件下,实测30～40 GHz内四个通道的四倍频差分输出信号功率大于5 dBm,三次谐波抑制大于30 dBc,五次谐波抑制大于35 dBc。线性功率检波范围为-10～10 dBm(0.05 V/dBm),温度传感器检测范围为-55～125℃(1 mV/K)。图1-4展示了该款芯片的测试结果。