氮化物半导体量子点核-壳结构杂质态的结合能

作者:李硕; 石磊; 闫祖威*
来源:内蒙古大学学报(自然科学版), 2019, 50(06): 604-609.
DOI:10.13484/j.nmgdxxbzk.20190604

摘要

在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了GaN/AlxGa1-xN量子点核-壳结构中杂质态结合能,计算了该结构中杂质态结合能随量子点核-壳结构核尺寸、壳尺寸、Al组分以及杂质位置的变化关系.结果表明:杂质态结合能随着量子点半径(核和壳尺寸)的增加单调减小;当杂质位置到量子点中心距离d增加时,杂质态结合能呈现先增大后减小的趋势,出现一极大值;杂质态结合能随Al组分的变化受杂质位置影响较大,呈现不同的变化趋势,且变化比较明显.