科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
以GaN为代表的第三代(宽禁带)半导体材料因其禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、耐腐蚀和抗辐照等优势,特别是GaN异质结构具有高密度和高迁移率的二维电子气,被誉为是研制微波功率器件的理想材料。近年来,随着外延技术的不断进步,GaN外延材料的结晶质量也逐步提升,加上器件制造工艺的不断成熟,AlGaN/GaN HEMT器件性能不断提高。不过仍然存在一些关键问题制约器件性能与可靠性,如GaN缓冲层漏电问题和最佳异质结构问题。GaN缓冲层漏电直接使得器件的夹断特性变差,器件击穿电压不高,将严重降低器件的功率特性;GaN异质结构参数的优化问题也很严重。它们都与器件工作特性息息相关。 本文首先从G...
- 单位
