高功率InGaAs/GaAsP应变量子阱垂直腔面发射激光器列阵

作者：刘迪; 宁永强; 张金龙; 张星; 王立军

来源：光学精密工程, 2012, 20(10): 2147-2153.

• 垂直腔面发射激光器列阵
• 峰值功率
• 功率密度
• InGaAs/GaAsP应变量子阱 Vertical Cavity Surface Emitting Laser(VCSEL) array
• peak power
• power density
• InGaAs/GaAsP strained quantum well

为提高垂直腔面发射激光器(VCSEL)的输出功率,对具有3个In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08应变量子阱结构,发射波长为977nm的VCSEL列阵进行了研究。对量子阱结构进行了优化,选择具有更宽带隙的GaAsP作为势垒材料,计算了In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08量子阱的带阶。对采用In0.2Ga0.8As/GaAs0.92P0.08和In0.2Ga0.8As/GaAs两种量子阱结构的器件的输出功率进行了理论模拟和比较分析。分别测试了上述两个列阵器件的脉冲峰值功率并利用由开启电压、阈值电流和串联电阻决定的p参数评估了列阵器件的输出性能。实验结果表明,当注入电...

• 单位
  发光学及应用国家重点实验室; 中国科学院大学; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所