6H-SiC肖特基二极管的特性研究

作者：罗小蓉; 李肇基; 张波; 龚敏

来源：微电子学, 2004, 34(01): 38-40.

DOI：10.3969/j.issn.1004-3365.2004.01.009

• 肖特基二极管
• 碳化硅器件
• 界面态
• 欧姆接触

　采用缓慢氧化-稀释的HF刻蚀-沸水浸泡法(BW法)处理SiC表面,以减少其界面态。首次在100°C以下制备了6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触比接触电阻ρc=5～7×10-3Ω.cm2,理想因子n=1.20～1.25。同时,还制备了P型6H-SiC肖特基二极管,其欧姆接触采用950°C高温合金Al/SiC工艺获得,该样品衬底较大的串联电阻导致其正向压降偏高,理想因子较大。实验表明,BW法不仅能降低合金温度和工艺难度,而且能有效改善器件的电学特性。

• 单位
  四川大学; 电子科技大学