本发明公开了一种自整流且可电致阻变的电存储器及其制备方法。本发明所述自整流且可电致阻变的电存储器,包括N型单晶硅半导体层、P型SnO半导体层和图案化镍电极；其中P型SnO半导体层部分覆盖在N型单晶硅半导体层表面,图案化镍电极设置在P型SnO半导体层表面和未覆盖的N型单晶硅半导体层表面。本发明电存储器具有极高的整流比和开关比,信息存储的可靠性高,同时可以实现低功耗驱动。
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