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摘要
本发明提供一种基于GaN的鳍式场效应晶体管器件及其制造方法。所述器件,包括依次设置的衬底、缓冲层、势垒层、钝化层,其中：所述势垒层上一端设置有源极、另一端设置有漏极；所述钝化层设置在所述源极和所述漏极之间的势垒层上；所述钝化层中部设置有开口；所述开口对应的势垒层区域中设置有多个凹槽；相邻凹槽之间设置有鳍片；所述钝化层上设置有T型栅极,所述T型栅极覆盖所述凹槽以及所述鳍片；所述凹槽的长度与所述T型栅极底部的长度相等；所述鳍片的厚度与所述凹槽的深度相等；所述凹槽远离所述钝化层部分的宽度大于靠近所述钝化层部分的宽度。
- 单位
