摘要

本文研制了基于硅光电倍增管的闪烁体探测器,该探测器由6LiF/ZnS(Ag)闪烁屏、波长移动光纤(WLSF)阵列、硅光电倍增管(SiPM)和专用集成电路(ASIC)组成。探测器的像素大小为3×50 mm,中子敏感区域为50×200 mm。研制的探测器样机在中国散裂中子源(CSNS)的20号中子光束线上进行了测试,测试结果表明探测器最大线性计数率为75千赫兹,在中子波长为1埃时探测效率超过40%且均匀性良好。该测试结果不仅符合CSNS正在建设的能量分辨中子成像谱仪(ERNI)的要求,并对于提高我国中子探测技术水平,材料科学的研究也将具有重要意义。