一种应用于Sub-6G的宽带低功耗低噪声放大器

作者：倪城; 王毅炜; 杨定坤

来源：电子与封装, 2023, 23(12): 43-48.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2023.0156

• 低噪声放大器
• TSMC 40nm
• CMOS
• 宽带
• 低功耗

提出了一种工作频率覆盖Sub-6G的宽带低噪声放大器（LNA），该电路采用电阻自偏置AB类放大器级联共源共栅放大器的结构，在实现宽带工作的同时兼具高增益、低功耗的特点。该LNA采用TSMC 40 nm CMOS工艺，在1.3 V工作电压下，增益高于26 d B，噪声系数低于2.6 d B，三阶输入交调截点为-4.6 d Bm@6 GHz,1 d B压缩点为3.4 d Bm@6 GHz，静态功耗仅为0.94 m W，版图面积为0.014 mm2。

• 单位
  武汉科技大学; 成都振芯科技股份有限公司