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摘要
针对无源射频识别(RFID)传感器标签发展的需求,采用商业化互补金属氧化物(CMOS)工艺,设计了一种集成电容式压力传感器及其接口电路。集成压力传感器采用金属层M1作为下电极,牺牲的金属层M2作为间隙层,通过过孔连接的金属层M3和M4及其介质构成上电极。传感器接口电路基于锁相环原理,采用全数字结构,将传感器信号转移到频率域处理。后期测试结果显示,所设计的压力传感器线性度高,温度稳定性好,接口电路在1 V电源电压下,只消耗了0.6m W功率,尤其适用于无源RFID标签的设计。
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针对无源射频识别(RFID)传感器标签发展的需求,采用商业化互补金属氧化物(CMOS)工艺,设计了一种集成电容式压力传感器及其接口电路。集成压力传感器采用金属层M1作为下电极,牺牲的金属层M2作为间隙层,通过过孔连接的金属层M3和M4及其介质构成上电极。传感器接口电路基于锁相环原理,采用全数字结构,将传感器信号转移到频率域处理。后期测试结果显示,所设计的压力传感器线性度高,温度稳定性好,接口电路在1 V电源电压下,只消耗了0.6m W功率,尤其适用于无源RFID标签的设计。
