基于FinFET器件的共源极放大器自热效应温升计算方法

作者：梁**; 汪月; 鲁迎春; 肖远; 章宏; 易茂祥; 黄正峰

来源：2023-04-11, 中国, CN202310381460.2.

本发明公开了一种基于FinFET器件的共源极放大器自热效应温升计算方法,其步骤包括：1、计算共源极放大器中FinFET器件输出跨导,并计算不同输入电压下有、无自热效应的跨导变化量；2、建立FinFET器件自热效应引起的温升与跨导变化量、输入电压的关系模型；3、计算有、无自热效应所对应的共源极放大器的输出电压与输入电压的比值变化量；4、建立比值变化量和输出跨导变化量、输入电压间的关系模型：5、根据两个关系模型,得到自热效应引起的温升和比值变化量的关系模型,并计算由自热效应引起的温升,从而对模拟电路共源极放大器的自热效应进行表征,以解决先进工艺下放大器电路自热效应表征难问题。

• 单位
  合肥工业大学