一种降低频率合成器相位噪声的高增益电荷泵

作者：翟奇国; 魏鲁; 袁昊煜

来源：半导体技术, 2021, 46(06): 445-450.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.06.005

• 低相位噪声
• 电荷泵
• 频率合成器
• 锁相环(PLL)
• SiGe BiCMOS工艺

设计了一款低噪声高增益电荷泵,主要用于低相位噪声的频率合成器。在传统的电流转向型电荷泵结构中增加了非镜像结构的低噪声电流源单元,使电荷泵的输出电流呈比例增加,降低电荷泵对频率合成器输出相位噪声的贡献,以进一步降低频率合成器的相位噪声。采用0.18μm SiGe BiCMOS工艺进行了设计仿真和流片验证。测试结果表明:频率合成器工作在频率为10 GHz时,电荷泵中高增益低噪声电流源关闭和开启情况下,锁相环相位噪声分别为-106.1 dBc/Hz@10 kHz和-108.68 dBc/Hz@10 kHz。实现了通过开启电荷泵中高增益低噪声电流源使锁相环输出相位噪声下降约3 dB的目标。

• 单位
  成都振芯科技股份有限公司