氮气流量对磁控溅射InN薄膜特性的影响

作者：杨非凡; 付宏远; 樊义棒; 任煜豪; 李静杰; 赵洋; 甄志强; 王辉^*

来源：原子与分子物理学报, 2021, 38(03): 129-134.

DOI：10.19855/j.1000-0364.2021.036001

• 磁控溅射
• InN薄膜
• 氮气流量
• 原子排布

采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了InN薄膜.研究了N2流量对InN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,InN呈六方纤锌矿结构,具有明显(002)择优取向; SEM与AFM图像显示InN薄膜均匀致密,低N2流量下随流量增加,表面逐渐趋于光滑平整,过高的N2流量使薄膜生长方式发生改变;通过检测薄膜吸收特性,利用线性外推法计算禁带宽度为1.81～1.96 e V;电学测试结果表明,制备的薄膜样品均呈现n型导电特性,且迁移率较低,最大为12.2cm2/v·s;载流子浓度较高,保持在1021cm-3数量级;电阻率较小,范围是0.202～0.33 mΩ·cm.

• 单位
  河南科技大学