分子印迹型g-C3N4电极伏安分析法检测磺胺甲噁唑

作者：王堤; 武天恒; 刘蕊^*; 郎丹梅; 潘陆

来源：化学与粘合, 2023, 45(03): 270-274.

• g-C3N4
• 分子印迹技术
• 磺胺甲噁唑
• 电化学传感

采用分子印迹技术与g-C3N4材料复合修饰玻碳电极(GCE)，建立了伏安法快速测定磺胺甲噁唑(SMX)的新方法。通过SEM,XRD,FT-IR表征手段对所制备的分子印迹型g-C3N4(MIP-g-C3N4)电极材料进行表征，并考察了缓冲溶液p H值对电流响应的影响，确定最佳的响应条件。实验结果表明，p H为6时，电流响应最为强烈。另外，采用循环伏安法对比探究磺胺甲噁唑在裸GCE、g-C3N4/GCE和分子印迹型g-C3N4/GCE电极上的电化学行为，结果表明：分子印迹型g-C3N4/GCE电极对磺胺甲噁唑测定的灵敏度显著地提高。该传感器测定SMX的结果具有较宽的线性范围(0.5～103.7μmol/L)和较低的检测限(2.5μmoL/L)，回收率为99.45%～100.20%。

• 单位
  哈尔滨商业大学