P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法

作者：王冲; 黄泽阳; 何云龙; 郑雪峰; 马晓华; 郝跃

来源：2018-07-02, 中国, ZL201810709666.2.

本发明涉及一种P-GaN帽层的FinFET增强型器件及制作方法,包括步骤：在基片上依次生长GaN层和AlGaN势垒层形成AlGaN/GaN异质结；在异质结上生长P-GaN帽层；对异质结进行台面隔离和刻蚀,形成栅鳍；在P-GaN帽层以及异质结表面形成栅极区掩膜图形,刻蚀除栅极区掩膜图形以外的P-GaN帽层；在异质结两侧制作源、漏电极；在P-GaN帽层的区域淀积栅金属,形成FinFET栅结构栅电极,其中,栅金属覆盖在P-GaN帽层顶部及侧壁,覆盖异质结的侧壁；制作电极引线。该器件及制作方法采用P-GaN帽层结构,结合三维栅控的FinFET结构,增强器件的跨导和栅控能力,提高了器件的阈值电压和稳定性。

• 单位
  西安电子科技大学