SRAM型FPGA散裂中子源反角白光中子单粒子试验

作者：陈冬梅^*; 谭志新; 孙旭朋; 底桐; 白桦

来源：航空科学技术, 2021, 32(02): 62-65.

DOI：10.19452/j.issn1007-5453.2021.02.009

• 散裂中子源
• 反角白光中子
• FPGA
• 单粒子

本文利用中国散裂中子源(CSNS)反角白光中子束线开展了45nm工艺XC6SLX150、XC6SLX16两款SRAM型FPGA器件大气中子单粒子效应地面模拟试验,分析获得了器件截面数据并与之前结果进行比较。结果表明,同工艺器件中子单粒子效应截面基本一致,反角白光中子源、LANSCE散裂源及国内14MeV单能中子源单粒子试验截面基本一致,验证了反角白光中子源开展大气中子单粒子试验的可行性。

• 单位
  散裂中子源科学中心