摘要
本发明属于薄膜材料制备技术领域,公开了一种晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜的制备方法。以氧化锆为靶材,将玻璃基片放置在基板上,将真空腔室抽至2×10~(-4)~5×10~(-4)Pa,调整靶材与基板之间的距离,设置脉冲频率为4~6Hz,激光能量为150~350mJ,采用非圆形的激光光斑照射靶材,预沉积1~3min后将脉冲数设置为10000~30000次继续沉积,然后在空气环境中热退火,退火温度为300~400℃,得到晶型及厚度可控的二氧化锆薄膜。本发明通过激光光斑的形状及基片放置的位置调控薄膜晶型,通过沉积时的脉冲数及靶材-基板距离等调节厚度,可以实现一次制样得到不同晶型及厚度的氧化锆薄膜。
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