用化学镀改善多孔硅的金半接触质量

作者：余峰; 廖家科; 渠叶君; 郭安然; 李伟

来源：电子器件, 2014, 37(04): 591-596.

• 化学镀
• 金半接触
• I-V特性
• 比接触电阻
• 多孔硅

多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料,在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电接触质量,通过电化学腐蚀制备多孔硅,对比研究了化学镀与物理气相沉积(热蒸发、磁控溅射)工艺制备出的金属电极界面结构,测试了相应I-V特性,并讨论了快速退火对金半接触质量的影响。研究结果表明,用化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极,经快速退火处理后,能得到较低比接触电阻(10-1Ω·cm2)的欧姆电接触。

• 单位
  电子科技大学; 光电信息学院; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室