基于鳍形栅结构的p-GaN/AlGaN/GaN增强型器件及其制作方法

作者：何云龙; 马晓华; 王冲; 郑雪峰; 郝跃

来源：2018-10-09, 中国, CN201811170930.6.

本发明涉及一种基于鳍形栅结构的p-GaN/AlGaN/GaN增强型器件,包括：衬底层；源部分,位于衬底层上层的一侧；漏部分,位于衬底层上层的另一侧,且与源部分相对设置；Fin结构,位于衬底层上层,且位于源部分与漏部分之间；帽层,位于Fin结构中间的上层；源电极,位于源部分上层；漏电极,位于漏部分上层；介质层,位于Fin结构中间的两侧和帽层两侧；栅电极,位于帽层上层和介质层外侧；钝化层,包覆源部分、漏部分和Fin结构。本发明提出的器件,栅可以从三个方向控制沟道,有效地降低了栅极泄漏电流；另外,利用帽层和Fin结构侧栅对沟道2DEG产生耗尽,提高了正向阈值电压。

• 单位
  西安电子科技大学