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摘要
TOPCon太阳能电池使用LPCVD在585℃-625℃热氧制备隧穿氧化层和在610℃左右热分解SiH4制备本征多晶硅层,主要工艺气体为O2、SiH4和N2。SiH4为易燃易爆危险气体,分析不同极限条件下SiH4气体的体积比,结果表明,生产过程中其体积比远低于爆炸下限,生产TOPCon太阳能电池使用LPCVD制备隧穿氧化层和本征多晶硅层,尾气排放可直接接厂务硅烷排管道,而不需要单独尾气处理系统进行处理后再排放至硅烷排管道,节约了生产成本和基建成本。
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TOPCon太阳能电池使用LPCVD在585℃-625℃热氧制备隧穿氧化层和在610℃左右热分解SiH4制备本征多晶硅层,主要工艺气体为O2、SiH4和N2。SiH4为易燃易爆危险气体,分析不同极限条件下SiH4气体的体积比,结果表明,生产过程中其体积比远低于爆炸下限,生产TOPCon太阳能电池使用LPCVD制备隧穿氧化层和本征多晶硅层,尾气排放可直接接厂务硅烷排管道,而不需要单独尾气处理系统进行处理后再排放至硅烷排管道,节约了生产成本和基建成本。
