高Al含量AlGaN多层外延材料的应变与位错密度研究

作者：游达; 王庆学; 汤英文; 龚海梅

来源：激光与红外, 2005, (11): 85-87.

• AlGaN
• 倒易空间图
• 应变
• PV函数 AlGaN
• strain
• PV function

文中利用X射线三轴衍射测试手段对高A l(x≥0.45)含量p-i-n结构的A lxGa1-xN外延材料进行测试,并结合倒易空间图(RSM)和PV函数法对A lxGa1-xN外延材料进行评价。首先通过对RSM的定性分析,给出多层外延材料中不同A l组分A lxGa1-xN材料的应变状态和位错密度等信息,然后结合PV函数法拟合了从RSM中分离出的摇摆曲线,通过拟合过程准确地计算了多层结构中不同组分的A lxGa1-xN材料的纵向和横向应变量与螺位错密度,测试及计算结果都表明:多层p-i-n结构的A lxGa1-xN外延材料的应变与位错密度与单层结构相差较大,表明层与层之间的应变和位错相互作用对各...

• 单位
  中国科学院上海技术物理研究所; 传感技术国家重点实验室