ALD法制备二维二硫化钼薄膜的研究现状及展望

作者：常晓萌; 李佳保; 周启航; 杨培志

来源：云南师范大学学报(自然科学版), 2022, 42(02): 1-8.

• 二维材料
• 二硫化钼
• 原子层沉积

二硫化钼(MoS2)是一种典型的过渡金属硫属化合物，其二维结构表现出优异的光学性能、热电性能及光电性能，在光电器件领域具有广阔的应用前景.MoS2薄膜的带隙可通过原子层数进行调控，随层数减少其带隙呈逐渐增大趋势，当层数减至一层，将由间接带隙转为直接带隙.因此，制备层数可控的MoS2薄膜是其应用的基础.原子层沉积(ALD)是可控制备MoS2薄膜的重要方法之一，可实现在较低温度下制备均匀的薄膜，而前驱体种类、反应温度、衬底预处理和退火工艺参数等对薄膜质量均有影响.在总结二硫化钼结构及特性的基础上，综述了ALD法制备少层二硫化钼薄膜的进展，并着重探讨了影响薄膜质量的关键因素，最后对其未来发展趋势进行了展望.

• 单位
  云南师范大学