氮化镓化学机械抛光中抛光液的研究进展

作者：罗付; 牛新环; 张银婵; 朱烨博; 侯子阳; 屈**; 闫晗

来源：半导体技术, 2022, 47(02): 81-133.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.02.001

• 氮化镓(GaN)
• 化学机械抛光(CMP)
• 抛光液
• 抛光液组分
• 抛光机理

氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工。因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题。CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用。对近年来应用于GaN CMP抛光液中的磨料、氧化剂、表面活性剂、光催化剂等重要组分的抛光效果及作用机理进行了回顾。主要可以归纳为磨料逐渐从单一磨料向复合磨料方向发展,阴离子表面活性剂较其他活性剂效果更好;同时,发现主流的GaN CMP过程为先氧化再去除,因此氧化剂和光催化剂逐渐成为了研究热点。最后对GaN CMP的未来研究方向进行了展望。

• 单位
  电子信息工程学院; 河北工业大学