Mg_2SiO_4固相合成及其性能研究

作者：孙成礼; 张树人; 周晓华; 李波

来源：材料导报, 2008, S3: 30-31.

• Mg_2SiO_4
• 固相反应
• 低介材料 Mg_2SiO_4
• solid state reaction
• low dielectric materials

以碱式碳酸镁和SiO_2为原料,采用固相反应法合成Mg_2SiO_4。结果表明,当Mg/Si比为2:1.2,在1200℃以上空气气氛中预烧3h,能合成出单相的Mg_2SiO_4。在1280～1340℃保温2h烧结成瓷后,其1MHz介电常数为7.05±0.05,损耗角正切变化范围在(2～5)×10~(-4)之间,体积密度为(3.1±0.5)g/cm~3。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学