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摘要
以偏钒酸铵、木糖等为前驱体原料,采用碳热还原的方法制备出纳米VC晶须,利用SEM、TEM和XRD研究了卤化剂种类及用量对纳米VC晶须制备的影响。结果表明,在合成温度为1 000℃、保温时间为2 h下,添加10%NaF作为卤化剂可制备出直径约100 nm、表面光滑、形貌较好的纳米VC晶须。对比6种卤化剂,NaF是制备VC晶须最理想的卤化剂。卤化剂的用量对纳米VC晶须制备有重要影响,NaF的最佳用量约为10%;NaF用量过少,无法促进VC晶须生长;NaF用量过多,则会抑制VC晶须生长。
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单位石家庄铁道大学; 四川轻化工大学
