n型GaAs欧姆接触电极制备工艺

作者：左芬; 翟章印^*

来源：人工晶体学报, 2022, 51(04): 606-610.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.20220406.001

• 砷化镓
• 半导体
• 欧姆接触
• 金锗镍合金
• 电极材料
• 离子溅射
• 比接触电阻率

目前，n型GaAs欧姆接触电极的制备方法以蒸镀法为主，然而该方法具有设备价格高、浪费电极材料的缺点。本文采用离子溅射法制备了n型GaAs的欧姆接触电极AuGeNi/Au,通过优化制备过程，可获得表面光滑平整、成分均匀无偏析的电极层。400℃氩气气氛下退火处理后，电极与GaAs之间由肖特基接触变为欧姆接触，极间电阻降为原来的1/20。退火温度在400～500℃时可得到很小的比接触电阻率(10-6Ω·cm2),有利于半导体器件工作稳定性的提高，降低能耗。退火温度低于400℃或高于500℃后比接触电阻率都较大，这分别与欧姆接触未形成以及Au-Ge合金的“球聚”有关。该制备方法和过程的优点为：设备成本低、流程简便、节省电极材料，具有良好的经济效益和实用价值，适合科研实验室使用。

• 单位
  淮阴师范学院