高温可靠性试验对SiC MOSFET特性参数的影响

作者：杜泽晨; 吴沛飞; 桑玲; 赵志斌; 杨霏^*; 吴军民

来源：半导体技术, 2021, 46(04): 330-336.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.04.013

• SiC
• MOSFET
• 高温栅偏(HTGB)试验
• 高温反偏(HTRB)试验
• 筛选方法

SiC MOSFET可以提升电力电子器件的功率密度,在特高压直流输电、电动汽车等领域有较好的应用前景,但其特性参数的分散性会影响器件的长期稳定运行。对SiC MOSFET进行了168 h的高温栅偏(HTGB)和高温反偏(HTRB)试验。结果表明,试验前后器件的阈值电压和跨导变化较大,而导通电阻和极间电容变化较小。通过拟合分析得到试验前后器件导通电阻、阈值电压和跨导的变化率与各参数数值之间的拟合曲线。最后基于测试结果,提出了一种针对1 200 V/20 A SiC MOSFET的筛选方法,以降低器件在高温可靠性试验前后的参数变化率,从而提升器件在长期高温环境中的可靠性。

• 单位
  华北电力大学; 全球能源互联网研究院; 新能源电力系统国家重点实验室