腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究

作者：蒋稳; 邹宇; 伍建春; 展长勇; 朱敬军; 安竹; 杨斌; 黄宁康

来源：功能材料, 2013, 44(15): 2222-2226.

• 中子探测器
• 电化学刻蚀
• 多孔硅阵列
• 形貌

采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。

• 单位
  四川大学; 辐射物理及技术教育部重点实验室