后退火气氛对磁控溅射制备β-Ga2O3薄膜材料的影响

作者：姬凯迪; 高灿灿; 杨发顺; 熊倩; 马奎^*

来源：人工晶体学报, 2021, 50(06): 1056-1061.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2021.06.005

• 宽禁带半导体
• β-Ga2O3
• 射频磁控溅射
• 退火氛围
• 结晶性能
• 表面粗糙度

近年来,宽禁带半导体材料β-Ga2O3越来越多地受到关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究。射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3薄膜制备方法之一,后退火处理往往是提高薄膜质量的关键工艺步骤。本文研究后退火工艺中退火温度和退火气氛对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2O3薄膜材料的影响。X射线衍射和原子力显微镜表征结果表明:在氮气气氛下退火,退火温度为1 000℃时得到的β-Ga2O3薄膜质量较优;相同的温度下,氧气气氛退火比氮气气氛退火更有利于提升薄膜的结晶性能、降低表面粗糙度;在氧气气氛下,1 000℃退火得到的薄膜质量相对比900℃退火得到的薄膜质量好。

• 单位
  贵州大学