基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展

作者：曾庆锴; 卢健; 李彩; 张冬冬; 张勇

来源：环境技术, 2019, 37(04): 104-109.

DOI：10.3969/j.issn.1004-7204.2019.04.022

• NAND
• 总剂量
• 浮栅

Flash存储器因其高存储容量、低功率以及非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中。本文对NAND器件中各功能模块的辐射总剂量效应试验结果进行了分析和讨论。结论是浮栅结构是总剂量效应最为敏感的模块。

• 单位
  上海微小卫星工程中心