BiVO_4对MgTiO_3陶瓷烧结及介电性能的影响

作者：张启龙; 童建喜; 杨辉; 王焕平

来源：压电与声光, 2007, 29(04): 432-434.

DOI：10.3969/j.issn.1004-2474.2007.04.020

• 低温共烧陶瓷
• 介电性能
• BiVO4
• MgTiO3

研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射(XRD)表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和介电常数rε逐渐增大,品质因数Q×f急剧下降,频率温度系数fτ向负值方向移动。添加w(MgTiO3)=4%的陶瓷在900℃烧结2 h,获得最佳性能:rε=18.53,Q×f=6 832 GHz,fτ=-55×10-6/℃。

• 单位
  浙江大学