Al、P掺杂Si原子链电子输运性质的第一性原理计算

作者：陈朋; 王家秋; 王帆; 柳福提

来源：宜宾学院学报, 2016, (12): 99-102.

DOI：10.19504/j.cnki.issn1671-5365.2016.12.024

• 密度泛函理论
• 非平衡格林函数
• 电子输运
• 硅原子链 density functional theory
• non-equilibrium Greens function
• electron transport
• silicon atomic chain

运用密度泛函理论结合非平衡格林函数的方法对直线硅原子链及其分别掺杂Al、P原子的电子输运性质进行了第一性原理计算.结果发现未掺杂Si原子链的平衡电导为1.237 G_0,电子主要通过p轨道电子形成的π键进行输运;掺杂Al能改变Si原子链的电子输运行为,使LUMO隧穿共振峰离费米面更远,平衡电导减小为0.491 G_0;掺杂P原子使Si原子链的LUMO峰离费米面更近,平衡电导增加为1.621 G_0,更有利于改善Si原子链的电子输运性能.

• 单位
  宜宾学院