在IGBT关断过程中,当芯片内部产生巨大的电场时会发生动态雪崩现象。文章通过设计试验方案并加以验证,探究了不同试验变量对IGBT动态雪崩以及雪崩耐量的影响。结果表明,电流和电感会对模块动态雪崩产生极大的影响,栅极电阻能够延缓模块内部动态雪崩的发生并提升模块雪崩耐量,母线电压也会对模块雪崩耐量的提升产生巨大影响,常温和高温下模块的雪崩耐量差距大。