InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

作者：李金友; 王海龙^*; 杨锦; 曹春芳; 赵旭熠; 于文富; 龚谦^*

来源：发光学报, 2020, 41(08): 971-976.

• 量子阱激光器
• InGaAs/GaAs/InGaP
• 低温
• 温度电压特性

研究了InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器在不同温度下的电流-电压特性,并建立了一个理论模型进行描述。实验所用激光器腔长为0.3 mm,脊条宽度为3μm。实验测量得到该激光器在15～100 K的电压温度系数(dV/dT)为7.87～8.32 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为2.93～3.17 mV/K。由理论模型计算得到该激光器在15～100 K的电压温度系数为2.56～2.75 mV/K,在100～300 K的电压温度系数为3.91～4.15 mV/K。在100～300 K,实验测量与理论模型计算得出的电压温度系数接近,理论模型能较好地模拟激光器的温度电压特性;但在15～100 K相差较大,还需要进一步完善。

• 单位
  信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院大学; 曲阜师范大学; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所