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摘要
基于Geant4工具包对碳化硅中子传感器的性能进行了分析。分别对平面型和沟槽型中子传感器的结构参数进行了优化以使它们的本征探测效率取得最大值。基于双面交叉型碳化硅中子传感器结构,提出一种新型双面交叉T型沟槽结构可以完全消除中子自由流通路径,因此当低能甄别阈值(LLD)为300 keV时,本征探测效率提升了7.23%。此外,T型沟槽可以通过两次刻蚀进一步增加沟槽的刻蚀深度,为制造深沟槽刻蚀碳化硅中子传感器提供了可能性。在上沟槽部分使用离子注入形成部分掺杂的碳化硅中子传感器也为制造更高性能的器件提供了新的思路。
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