碳基纳电子的新进展(续)

作者：赵正平

来源：微纳电子技术, 2020, 57(12): 949-962.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.12.001

<正>4 GFET MMIC大面积的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的进展为石墨烯单片集成电路(MMIC)的发展奠定了材料和器件基础,由于石墨烯器件具有特有的双极性能、高电子迁移率、二维电子气、弹道输运以及独特的电子和机械性能等特性,目前石墨烯电子学在混频器、放大器、THz探测器、弹道整流器和柔性电路等五方面已有长足进步。

• 单位
  中国电子科技集团公司; 专用集成电路重点实验室