基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计

作者：康耀鹏; 汪鹏君^*; 张会红; 李刚

来源：华东理工大学学报, 2018, 44(05): 724-729.

DOI：10.14135/j.cnki.1006-3080.20170820001

• CNFET
• 三值数据比较
• CAM
• 三值逻辑

通过对三值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出了基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计方案。首先利用CNFET阈值可调特性和开关信号理论设计三值缓冲器,采用反馈控制连接技术实现三值SRAM存储;然后结合三值SRAM单元和三值逻辑原理设计三值内容寻址存储器单元;最后实验验证,所设计的三值内容寻址存储器单元具有正确的逻辑功能,且与三态内容寻址存储器单元相比功耗延时积(Power-Delay Product,PDP)降低约83%。

• 单位
  宁波大学